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IXFR18N90P
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C unless otherwise specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
ISOPLUS247 TM Outline
g fs
R Gi
C iss
C oss
C rss
t d(on)
V DS = 20V, I D = 9A, Note 1
Gate input resistance
V GS = 0V, V DS = 25V, f = 1MHz
Resistive Switching Times
6
10
1.2
5230
366
53
40
S
Ω
pF
pF
pF
ns
t r
t d(off)
t f
Q g(on)
V GS = 10V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 9A
R G = 2 Ω (External)
33
60
44
97
ns
ns
ns
nC
Terminals:
Dim.
1 - Gate
2 - Drain (Collector)
3 - Source (Emitter)
4 - Drain (Collector)
Millimeter Inches
Q gs
Q gd
R thJC
R thCS
V GS = 10V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 9A
30
40
0.15
nC
nC
0.62 ° C/W
° C/W
A
A 1
A 2
b
b 1
b 2
Min. Max.
4.83 5.21
2.29 2.54
1.91 2.16
1.14 1.40
1.91 2.13
2.92 3.12
Min. Max.
.190 .205
.090 .100
.075 .085
.045 .055
.075 .084
.115 .123
C
D
E
0.61 0.80
20.80 21.34
15.75 16.13
.024 .031
.819 .840
.620 .635
Source-Drain Diode
T J = 25 ° C unless otherwise specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
e
L
L1
Q
5.45 BSC
19.81 20.32
3.81 4.32
5.59 6.20
.215 BSC
.780 .800
.150 .170
.220 0.244
I S
V GS = 0V
18
A
R
4.32 4.83
.170 .190
I SM
V SD
Repetitive, pulse width limited by T JM
I F = I S , V GS = 0V, Note 1
72
1.5
A
V
t rr
Q RM
I RM
I F = 9A, -di/dt = 100A/ μ s
V R = 100V, V GS = 0V
1.0
10.8
300 ns
μ C
A
Note 1: Pulse test, t ≤ 300 μ s; duty cycle, d ≤ 2%.
IXYS Reserves the Right to Rhange Limits, Test Conditions, and Dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered
4,835,592
4,931,844
5,049,961
5,237,481
6,162,665
6,404,065 B1
6,683,344 6,727,585 7,005,734 B2
7,157,338B2
by one or moreof the following U.S. patents: 4,850,072
5,017,508
5,063,307
5,381,025
6,259,123 B1
6,534,343
6,710,405 B2 6,759,692 7,063,975 B2
4,881,106
5,034,796
5,187,117
5,486,715
6,306,728 B1
6,583,505
6,710,463
6,771,478 B2 7,071,537
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